當(dāng)前位置:首頁(yè) > 產(chǎn)品中心 > 光刻膠 > 納米光刻壓印膠 > mr-NIL212FC德國(guó)納米壓印光刻膠
簡(jiǎn)要描述:高分辨率:支持 <100 nm 結(jié)構(gòu)壓?。ㄈ鏼r-NIL212FC可實(shí)現(xiàn)200nm柱陣列)。量產(chǎn)適配:UV-NIL:室溫低壓(<100 mbar),適合大面積和連續(xù)生產(chǎn)(R2R)。T-NIL:熱塑性/熱固性 可選,平衡效率與穩(wěn)定性。工藝靈活性:可搭配 LOR 光刻膠實(shí)現(xiàn)金屬納米結(jié)構(gòu)剝離(Lift-off)。通過(guò) SiPOL 硅含量樹(shù)脂實(shí)現(xiàn)圖案放大,用于深槽刻蝕。
產(chǎn)品分類(lèi)
詳細(xì)介紹
——來(lái)自德國(guó) micro resist technology,納米壓印光刻材料的行業(yè)先驅(qū)
? Excellence的薄膜質(zhì)量 | ? 高保真圖案復(fù)制 | ? 優(yōu)異的干法刻蝕性能
? 廣泛的印章兼容性 | ? 定制化解決方案 | ? 符合工業(yè)級(jí)安全標(biāo)準(zhǔn)(ISO 9001 & 14001)
應(yīng)用領(lǐng)域:
l光子學(xué)(超表面、光柵、AR/VR)
l下一代電子器件(納米線、MEMS)
l生命科學(xué)與傳感器(微流控芯片、生物傳感器)
產(chǎn)品型號(hào) | 核心特性 | 適用場(chǎng)景 |
mr-NIL210 | 專(zhuān)為 PDMS 類(lèi)柔性印章優(yōu)化,極薄殘膠控制(<10nm),高均勻性 | 柔性基底、曲面壓印、快速量產(chǎn) |
mr-NIL212FC | 兼容低強(qiáng)度光源(<40>2(SiO?),適合精密金屬蝕刻 | 納米電子、金屬納米結(jié)構(gòu)制造 |
mr-NIL200 | 自粘附配方,無(wú)需底涂,專(zhuān)為硬質(zhì)印章(石英/OrmoStamp®)設(shè)計(jì) | 高精度光學(xué)元件、硬質(zhì)基底壓印 |
mr-UVCuF26SF | 溶劑型噴墨專(zhuān)用,低自發(fā)熒光,生物相容性佳 | 生物芯片、醫(yī)療器件 |
| mr-I 9000M | 熱固性樹(shù)脂,無(wú)玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg),耐高溫 260°C,yongjiu光學(xué)透明 | 高溫環(huán)境應(yīng)用(如封裝、光學(xué)透鏡) |
| mr-I T85 | 基于 COC 材料,耐酸堿/有機(jī)溶劑,超高紫外透過(guò)率 | 微流控芯片、透明器件 |
NIL + 深度刻蝕:通過(guò)含硅光刻膠 SiPOL 或硬掩模(SiO?)實(shí)現(xiàn)高深寬比結(jié)構(gòu)放大。
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